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繼續(xù)EUV之后 荷蘭政府開始DUV設備出口限制 中方回應

卡卡落

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6月30日荷蘭政府正式出臺關于半導體制造設備的出口管制限領,這些管制主要針對先進芯片制造技術有關的設備,措施將于9月1日正式生效。

根據(jù)新的規(guī)則,荷蘭半導體設備制造公司要為部分領先設備申請出口許可,并強調不是針對特定國家。

一次可以申請24個許可證,之后每年最多可以申請20個許可證。

此舉將會對中國包括新能源汽車,以及智能駕駛等多個領域的發(fā)展造成影響。

針對性明顯 

根據(jù)路透社的說法,美國與荷蘭企圖給中國芯片制造商一套持續(xù)的打擊,目的是進一步限制對華銷售芯片制造設備。

荷蘭對外貿易和發(fā)展合作部大臣Schreinemacher表示:之所以這么做是處于國家安全考慮,對于受到影響的公司來說,他們有一定的時間來適應新的規(guī)則(指3個月)。這樣我們就可以解決漏洞,而且不會對全球芯片制造產(chǎn)業(yè)造成不必要的干擾。一次

此前,曾經(jīng)有消息人士透露,美國商務部也在醞釀半導體領域的限制動作。對此英偉達NV認為,這些限制動作雖然短時間不會對公司財務造成影響,但長時間看,代價有可能很沉重,甚至導致美國相關行業(yè)市區(qū)全球最大的市場。

荷蘭對華半導體制造設備出口限制,顯然這是在美國壓力下的一系列動作。

中方回應

對此,中國駐荷蘭王國大使館發(fā)言人回應:荷蘭政府正式出臺半導體制造設備的出口管制措施,這是對出口管制措施的濫用,是對自由貿易和國際經(jīng)貿規(guī)則的嚴重背離,中方對此堅決反對。

中方還表示:“當前,全球半導體產(chǎn)業(yè)已形成你中有我、我中有你的產(chǎn)業(yè)格局。中國是世界最大的半導體市場,也是全球半導體供應鏈的重要組成部分。荷方以所謂“國家安全”為由人為設限毫無道理,完全站不住腳。在科技領域人為制造壁壘,在法律上、道義上沒有依據(jù)。這種行為不僅損害中國企業(yè)的正當合法權益,也會讓荷蘭企業(yè)蒙受損失,損害全球產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈的穩(wěn)定,還將破壞荷支持自由貿易的良好信譽。

眾所周知,一段時間以來,個別大國一再泛化“國家安全”概念,濫用出口管制措施,對中國企業(yè)進行惡意封鎖和打壓,脅迫盟友參與對華經(jīng)濟遏制。我們呼吁荷方從維護國際經(jīng)貿規(guī)則及中荷經(jīng)貿合作大局出發(fā),立即糾正錯誤做法。中方將堅決維護自身合法權益。同時,也愿與荷方一道,本著互利互惠的原則,共同探討解決方案,共同推動中荷經(jīng)貿關系健康發(fā)展?!?/p>

限制都包括哪些? 

只有雖然該限制只針對少數(shù)公司生產(chǎn)的特定設備,但依然起到了一定制約作用。主要受影響的公司是ASML,限制主要是最先進的浸潤式DUV系統(tǒng)。此前EUV設備已經(jīng)收到了限制。 

目前限制清單包括:

1、3B001.l :EUV pellicle

2、3B001.m:EUV pellicle生產(chǎn)設備

3、3B001.f.4:光刻設備,如下所示:

4、3B001.d.12:用于金屬剝離的原子層沉積(ALD)設備

5、3B001.a.4:設計用于硅(Si)、碳摻雜硅、硅鍺(SiGe)或碳摻雜SiGe外延生長的設備。

6、3B0001.d.19:設計用于在介電常數(shù)低于3.3的金屬線之間的深度與高度之比(AR)等于或大于1:1的小于25nm寬的空間中沉積由無空穴等離子體增強的Low K電介質的設備。

7、3D007:專為開發(fā)、生產(chǎn)或使用本法規(guī)3B01.l.、3B01.m.、3B001.f.4、3B001.d.12、3B00.a.4或3B001.d..19中規(guī)定的設備而設計的軟件。

8、3E005:開發(fā)、生產(chǎn)或使用本法規(guī)3B01.l.、3B01.m.、3B001.f.4、3B001.d.12、3B00.a.4或3B001.d..19中規(guī)定的設備所需的技術。

鎖死中國7nm工藝?

美國加緊布局限制,目的是將中國芯片工藝制程鎖定在14nm領域,此前荷蘭獨步領先的EUV光刻機已經(jīng)被限制,如今先進DUV光刻機也被鎖定出口。

今年6月19日,消息稱ASML公司的六臺DUV光刻機趕在限制之前搶先出口到中國,預計能夠制造1.7億枚芯片。

各方不懈努力下,目前中芯國際已經(jīng)突破了14nm工藝制程實現(xiàn)量產(chǎn)。由于更先進的EUV設備限制嚴格,所以目前還無法實現(xiàn)7nm工藝制程。目前中國與荷蘭在DUV和EUV設備方面還有很大的差距,所以限制對國內芯片制造行業(yè)有很大的制約作用。

根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,2023年中國在ISSCC國際固態(tài)電路會議上發(fā)表的淪為59篇(不含中國臺灣),超過美國的42篇位列第一。另外在高壓器件、低壓器件、功率集成電路以及寬禁帶功率半導體等方面也有突飛猛進的發(fā)展。另外,國內加大了對DUV甚至更先進的EUV制造方面的投資,以爭取早日破局。

來源:第一電動網(wǎng)

作者:卡卡落

本文地址:http://ewshbmdt.cn/news/shichang/205730

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