蓋世汽車訊 8月30日，半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子公司（Renesas Electronics Corporation）宣布開發(fā)新一代Si-IGBT（硅絕緣柵雙極晶體管）。該產(chǎn)品體積小且功率損耗低，可用于下一代電動汽車逆變器。
圖片來源：瑞薩
根據(jù)該公司的計劃，2023年上半年，該AE5代IGBT將在瑞薩電子日本Naka工廠的200和300毫米晶圓生產(chǎn)線上量產(chǎn)。2024年上半年，瑞薩電子將開始在其位于日本甲府（Kofu）的新功率半導(dǎo)體300毫米晶圓廠提高產(chǎn)量，以滿足市場對功率半導(dǎo)體產(chǎn)品不斷增長的需求。
來源：蓋世汽車
作者：劉麗婷
本文地址：http://ewshbmdt.cn/news/jishu/183850
以上內(nèi)容轉(zhuǎn)載自蓋世汽車，目的在于傳播更多信息，如有侵僅請聯(lián)系admin#d1ev.com(#替換成@)刪除，轉(zhuǎn)載內(nèi)容并不代表第一電動網(wǎng)（ewshbmdt.cn）立場。
文中圖片源自互聯(lián)網(wǎng)，如有侵權(quán)請聯(lián)系admin#d1ev.com（#替換成@）刪除。
先估價再買車，買的放心開的安心
您的詢價信息
已經(jīng)成功提交我們稍后會聯(lián)系您進(jìn)行報價!
京公網(wǎng)安備
11010502033163號