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羅姆推超緊湊車用級MOSFET 可實現(xiàn)ADAS攝像頭模塊等設(shè)備的小型化

蓋世汽車 余秋云

據(jù)外媒報道,當?shù)貢r間7月24日,日本半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)宣布推出超級緊湊,尺寸為1.6 x1.6毫米的RV4xxx系列MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)產(chǎn)品,可提供優(yōu)越的安裝可靠性。該系列產(chǎn)品符合汽車電子可靠性標準AEC-Q101,即使在極端工作條件下,也可確保車用級可靠性和性能。此外,該產(chǎn)品采用了羅姆獨有的封裝加工技術(shù),有助于實現(xiàn)ADAS攝像頭模塊等汽車電子設(shè)備的小型化。

圖1

(圖片來源:羅姆官網(wǎng))

近年來,汽車安裝了越來越多的ADAS攝像頭等汽車安全和便利系統(tǒng),但是此類系統(tǒng)受安裝空間的限制,對較小部件的需求也越來越多。為滿足此類需求,在保持高電流的前提下,有望進一步實現(xiàn)小型化的底部電極封裝MOSFET受到了人們的關(guān)注。但是,對于汽車應(yīng)用來說,在裝配過程中為了保證質(zhì)量需要進行光學檢查,但是,對于底部電極封裝組件來說,安裝后無法驗證焊料的高度,因而很難確定安裝條件。

但是,此次,羅姆通過利用獨有的Wettable Flank成型技術(shù),確保了封裝側(cè)面電極部分的高度(130μm)符合汽車應(yīng)用,從而確保了即使是底部電極組件的焊料質(zhì)量也能保持一致,可在產(chǎn)品安裝后的自動檢查機器可以輕易驗證安裝后的焊料條件。

關(guān)鍵特性

1、  專有的Wettable Flank技術(shù)確保封裝測量電極部分高度為130μm

羅姆的Wettable Flank成型技術(shù)是在封裝側(cè)面的引線框架加入切割再進行電鍍的技術(shù)。但是,引線框架的高度越高越容易產(chǎn)生毛刺,因此,羅姆研發(fā)了一種獨特的方法,在引線框架的整個表面都設(shè)置了用來減少毛刺的阻擋層,不僅可以防止組件在安裝時產(chǎn)生傾斜和焊接不良,而且作為DFN1616(1.6 x1.6毫米)封裝產(chǎn)品,是業(yè)界首個保證封裝側(cè)面電極部分高度為130μm的產(chǎn)品。

2、緊湊型底部電極MOSFET,可減少安裝面積

近年來,肖特基勢壘二極管(SBD)被廣泛用于ADAS攝像頭模塊的反接保護電路中。但是,由于先進汽車系統(tǒng)中的高分辨率攝像頭需要更大的電流,SBD正日益被緊湊型MOSFET取代,因為MOSFET導(dǎo)電電阻低且產(chǎn)生的熱量少。

例如,在電流為2.0A,功耗為0.6W時,傳統(tǒng)的車用級MOSFET安裝面積比SBD的少30%。而且采用底部電極封裝的MOSFET,散熱性更好,同時不僅可實現(xiàn)小型化,還可實現(xiàn)大電流。因此,與傳統(tǒng)的SBD相比,其安裝面積可削減78%,與普通的MOSFET相比,安裝面積可削減68%。

來源:蓋世汽車

作者:余秋云

本文地址:http://ewshbmdt.cn/news/jishu/96802

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