蓋世汽車訊 9月11日，英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies）宣布已成功開發(fā)出全球首個300毫米功率氮化鎵（GaN）晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有可擴展大批量生產(chǎn)環(huán)境中掌握這項突破性技術(shù)的公司。這一突破將有助于大幅推動基于GaN的功率半導(dǎo)體市場。與200毫米晶圓相比，300毫米晶圓上的芯片生產(chǎn)在技術(shù)上更先進，效率也更高，因為更大的晶圓直徑可容納2.3倍的芯片數(shù)量。
圖片來源：英飛凌
來源：第一電動網(wǎng)
作者：蓋世汽車
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