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繞不開的IGBT技術、資本合作

英飛凌在第三屆中國國際進口博覽會上宣布,將新增在華投資,擴大其無錫工廠的IGBT模塊生產線。

無錫工廠擴產后,將成為英飛凌最大的IGBT生產基地之一。英飛凌將以更豐富的IGBT產品線,滿足快速增長的可再生能源、新能源汽車等領域的應用需求。

本土化戰(zhàn)略下擴產、加強研發(fā)

中國當前在英飛凌各大地區(qū)營收中比重最大。2019財年,中國在其全球總營收中占比35%,高出包含歐洲、中東等EMEA地區(qū)的27%。因此,強化本土化勢在必行。

英飛凌表示,建成后的新生產制造中心將生產用于電動汽車的HybridPACK?雙面冷卻模塊,用于風電、光伏及眾多工業(yè)應用的EasyPACK? 1A/2A模塊和 1B/2B模塊,用于家電和工業(yè)等領域的CIPOS? Mini智能功率模塊 (IPM)等功率模塊器件。

其中,HybridPACK?雙面冷卻模塊是英飛凌全新的IGBT產品,可應用于混合動力及電動汽車的主逆變器和充放電。目前該模塊已成功用于全球多款插電式混動、電動汽車中。

英飛凌科技首席運營官Jochen Hanebeck認為:“中國在英飛凌的全球業(yè)務中占有重要的戰(zhàn)略地位。無錫工廠的升級擴能,不僅能進一步提升我們在中國的產能,而且還將幫助英飛凌鞏固其在全球IGBT業(yè)務發(fā)展中的領導地位?!?/span>

對英飛凌而言,以功率半導體和傳感器為代表的應用將長期驅動汽車電子事業(yè)部的發(fā)展。具體到產品,傳感器長期驅動產品涵蓋24/77GHz雷達、舒適性和安全汽車電子設備;微控制器未來將在ADAS和動力總成中得到更多的應用;功率半導體將在xEV滲透率、EPS應用等提升的情況下獲得長足發(fā)展。

無錫工廠的擴產正是英飛凌產品和市場增長戰(zhàn)略下的產物。而且,為了配合無錫IGBT產線的效率,英飛凌于2020年在上海成立了一個全新的工業(yè)功率半導體產品開發(fā)團隊,為光伏,充電樁、電動巴士等新能源應用提供定制化的半導體模塊。這些定制化半導體模塊將在英飛凌的無錫工廠投產。

深度合作、合資趨勢越發(fā)明朗

展會現(xiàn)場,英飛凌借用榮威R ER6來展示旗下IGBT模塊的性能。若從客戶層面看,英飛凌在中國新能源汽車市場的客戶不止上汽一家,但上汽卻是它從資本到生產的合作伙伴,意義更為重大。

據(jù)了解,采用了英飛凌的IGBT模塊的榮威R ER6,可實現(xiàn)高效、可靠的功率轉換,實現(xiàn)電機驅動,提高用電效率和用電質量。榮威R ER6最高車速可達185公里/時,0-100加速時間僅需 8.3秒。

榮威R ER6采用的IGBT模塊FS820是英飛凌和上汽集團成立的合資公司——上汽英飛凌汽車功率半導體(上海)有限公司生產制造的。該合資公司生產基地位于無錫。

NE時代了解到,像上汽選擇與英飛凌合資來保持功率器件供應穩(wěn)定的整車廠和電驅動供應商等不在少數(shù)。功率器件領域深度技術合作和合資趨勢已然顯現(xiàn)。

海外,2018年11月,豐田系電裝投入數(shù)千萬歐元,收購了英飛凌逾200萬股股票,出資比重約0.2%(日媒數(shù)據(jù))。通過資本的紐帶,已經(jīng)合作逾10年的雙方進一步強化了伙伴關系。本次合作背后,是電裝對智能傳感器、微控制器和功率半導體的重視。

2019年,大眾與兩家半導體大供應商達成合作關系。一是Cree,它成為了大眾汽車FAST(Future Automotive Supply Tracks,未來汽車供應鏈)項目SiC碳化硅的獨家合作伙伴。二是英飛凌,它成為大眾FAST項目戰(zhàn)略合作伙伴,合作點集中在大眾MEB電力驅動控制解決方案中的功率模塊。

今年,大陸旗下動力總成公司緯湃科技宣布,選擇羅姆作為其SiC技術的首選供應商,并就電動汽車領域電力電子技術簽署了開發(fā)合作協(xié)議,自2020年6月起生效。

國內,2018年,中車時代電器、長安汽車、南方電網(wǎng)、時代電動等成立合資公司,從事功率半導體的研發(fā)、銷售。

去年,比亞迪半導體與外部電控供應商探索碳化硅MOS功率模塊的應用研究。根據(jù)藍海華騰董秘的回答,比亞迪與藍海華騰聯(lián)合申請的“碳化硅MOSFET芯片和模塊關鍵技術研發(fā)”項目目前正在實施期。比亞迪負責碳化硅MOS的研發(fā)和應用研究,藍海華騰主要負責匹配碳化硅MOSFET功率模塊在電機控制器的應用研究,雙方共同探索相關的功率器件的國產化替代。

今年,宇通客車宣布,其新能源團隊正在采用基于科銳1200V SiC器件的斯達半導體功率模塊,開發(fā)高效率電機控制系統(tǒng),各方共同推進SiC逆變器在新能源大巴領域的商業(yè)化應用。

IGBT、SiC Mosfet等功率半導體的賽道在整車廠和Tier 1零部件供應商的參與下越發(fā)擁擠。競爭對半導體公司既殘酷,又代表著機會。它是技術和成本得以改進的重要推動力,也將為半導體公司帶來更廣闊的的生存和轉型空間。[END]

來源:第一電動網(wǎng)

作者:NE時代

本文地址:http://ewshbmdt.cn/kol/131588

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