英飛凌推出下一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2 推動(dòng)脫碳的高性能系統(tǒng)

蓋世汽車 2024-03-07 11:11

蓋世汽車訊 3月5日，英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）推出下一代碳化硅（SiC）MOSFET 溝槽技術(shù)，開啟電力系統(tǒng)和能源轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，新型英飛凌CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V第2代將MOSFET的關(guān)鍵性能指標(biāo)（例如存儲(chǔ)能量和電荷）提高了20%，且不影響質(zhì)量和可靠性水平，從而提高了整體能源效率，并進(jìn)一步推動(dòng)脫碳進(jìn)程。

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